產(chǎn)品詳情
自20世紀中葉以來(lái)，半導體已用于溫度計，并參與了一些#先金的物理實(shí)驗和發(fā)現。他們幫助發(fā)現了輻射引起的損害的機制，并確定了許多核物理原理。
基于半導體的小型智能溫度計利用新穎的材料和新的工藝來(lái)代替笨重且昂貴的常規溫度計。這些用于多種應用，包括導航系統，光學(xué)設備，運動(dòng)溫度計以及健康監視器。
雙金屬溫度計簡(jiǎn)介
溫度計檢測事件或因素的變化并以輸出響應。所測量的現象可以是化學(xué)的，電氣的，機械的，輻射的，磁性的或熱的。
溫度計拾取信號并將其傳遞到修改器，即溫度計測量系統的地衣部分。這會(huì )將修改后的信號傳輸到輸出溫度計。輸出換能器以輸出形式發(fā)出#終信號。輸出通常是電信號。
大多數溫度計使用半導體進(jìn)行操作，因此被稱(chēng)為雙金屬溫度計。#常用于半導體的材料包括硅和第III至V組的其他成員。這是因為它們容易獲得，易于使用，具有所需的物理特性并且具有成本效益。
在這些材料中，硅的使用已取得了巨大的進(jìn)步，從而允許制造直徑小于微米的微型硅電路。此外，批量生產(chǎn)技術(shù)允許以低成本同時(shí)推出眾多溫度計。
現代半導體的使用基于具有不同二維圖案的堆疊層。被組裝以產(chǎn)生3D裝置。這些可以通過(guò)表面微加工或通過(guò)本體微加工來(lái)制造。溫度計制造中的基本步驟包括沉積，光刻和蝕刻。
雙金屬溫度計的基本設計是什么？
半導體通常用于檢測各種帶電粒子和光子。它們的檢測能力基于電離的發(fā)生，其應用范圍很廣。
晶體性質(zhì)是半導體的特征，因為晶格對稱(chēng)性是其行為的基礎。原子顯示存在電子能帶，在價(jià)帶和導帶之間存在能隙。
可以通過(guò)在周期表中位于其附近的n型施主原子或p型受體原子引入（摻雜）雜質(zhì)，它們分別具有過(guò)量的移動(dòng)電子和空穴。摻雜物提供的淺摻雜水平在300 K左右電離。大多數雙金屬溫度計的基礎是pn二極管和MOS電容器。
當兩個(gè)晶體管以不同但不變的集電極電流密度使用時(shí)，產(chǎn)生的基極-發(fā)射極電壓是不同的。差異基于晶體管的覺(jué)對溫度，并轉換為電流或電壓。#終將其轉換為攝氏或華氏度。
基于半導體的溫度溫度計或集成電路（IC）溫度溫度計具有反向偏置功能，具有小電容和低泄漏電流。它們形成在硅薄晶片上。它們結構緊湊，可產(chǎn)生線(xiàn)性輸出，并且溫度范圍較小。它們還具有低成本并且在校準之后是準確的。但是，它們不容易互換。
半導體溫度溫度計的類(lèi)型很多，分為五類(lèi)：
電壓輸出-線(xiàn)性輸出，低輸出阻抗。
電流輸出-恒流調節器顯示高阻抗。
數字輸出 -溫度計和模數轉換器都集成在一個(gè)芯片上，通常專(zhuān)用于微處理器芯片而不是測量設備。
電阻輸出 -利用半導體的溫度與體積電阻特性來(lái)提供更穩定的溫度計，但可能會(huì )變熱，這很危險。
簡(jiǎn)單的二極管 -#便宜，但需要兩點(diǎn)校準和穩定的電流輸入才能獲得良好的結果
與許多其他類(lèi)型的溫度溫度計相比，這些溫度計在電氣和機械方面都更加脆弱，因此#適合在嵌入式應用中使用。
半導體溫度溫度計非常敏感，但是由于通常將它們封裝在標準外殼中以便嵌入到應用中，因此溫度的精que測量可能會(huì )受到影響。此外，互換性精度也低于標準桿。校準為兩點(diǎn)或三點(diǎn)校準可以提高精度，尤其是在溫度范圍有限以及溫度變化較小的情況下。
雙金屬溫度計是如何制造的？
半導體探測器
硅微帶由于其提供的高分辨率和效率而廣泛用于粒子物理實(shí)驗。它們經(jīng)久耐用且價(jià)格便宜，磁效應小。存在于一對電極之間的檢測器材料受到輻射的影響，釋放出可變數量的電荷載流子。這有助于測量入射在帶材上的電離輻射。
先金的探測器將通過(guò)其α，β和γ性質(zhì)以及激活分析來(lái)幫助分析輻射的類(lèi)型。
光學(xué)溫度計
硅二極管還用作望遠鏡和衛星，X射線(xiàn)檢測器或光電二極管中的光學(xué)溫度計，以檢測閃爍。
壓力溫度計
半導體壓力溫度計有以下四個(gè)種類(lèi)：
覺(jué)對壓力溫度計
壓差溫度計
表壓溫度計
負壓溫度計
氣體溫度計
半導體氣體溫度計將物理化學(xué)性質(zhì)的變化轉換為電流信號，該電流信號由傳感設備獲取。
它們具有良好的靈敏度，快速響應，長(cháng)期穩定并且可以集成到用于氣體傳感的設備中。然而，一個(gè)缺點(diǎn)是它們對共享例如相同還原性質(zhì)或可燃性質(zhì)的氣體不具有特異性。
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